Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (75)

NTD3055-094T4G Транзистор полевой N-канальный 60В 12А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055L104-1G Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 104 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD3055L104T4G Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 104 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF6P02T3G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 8.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2374DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.5A 3-Pin TO-236 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 960мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 735пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2399DS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 835пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4100DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4100DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4431BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 5.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7308DN-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 19.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 665пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7308DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 19.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 665пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8406DB-T2-E1 Транзистор полевой N-канальный 20В 16A Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD5N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHF5N50D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP5N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"