Одиночные MOSFET транзисторы

₉₇

Мощность макс.: 300Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1872)
Surface Mount (3376)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (97)

CSD18535KTTT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В, 200А, 300Вт, D2PAK, NexFET™

Производитель:

Texas Instruments

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

200А

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19535KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

150A

Сопротивление открытого канала:

3.6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.4В

Заряд затвора:

101нКл

Входная емкость:

7930пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8832 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 300Вт, 0.0019 Ом

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

34A

Сопротивление открытого канала:

1.9 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

265нКл

Входная емкость:

11400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA19N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

18.5A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

3600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP120N20NFDAKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 84A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

84A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

87нКл

Входная емкость:

6650пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF2804LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A TO-220-3

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

240нКл @ 10В

Входная емкость:

6450пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF2804SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 330Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

240нКл

Входная емкость:

6450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 803 шт

Цена от:

от 99,06₽

IRF2907ZS-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.8 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

260нКл

Входная емкость:

7580пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF2907ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 300Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

270нКл

Входная емкость:

7500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

143 шт

Цена от:

от 239,58₽

Акция

IRF3805S-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160А 300Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

2.6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

7820пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

735 шт

Цена от:

от 198,24₽

IRFB3206GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6540пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

17 238 шт

Цена от:

от 85,02₽

IRFS3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 170A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

170A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

260нКл

Входная емкость:

7600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6920пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

250нКл

Входная емкость:

7670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

250нКл

Входная емкость:

7670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFSL3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6540пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTH10P60 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 600В 10A TO-247AD

Производитель:

IXYS Corporation

Корпус:

TO-247AD

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1 Ом @ 5А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

160нКл @ 10В

Входная емкость:

4700пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN015-100B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

4900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB100NF04T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

5100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"