Одиночные MOSFET транзисторы

₉₇

Мощность макс.: 1Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (97)

FDS8433A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8447 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

12.8A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8449 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 7.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8638 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.3 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

5680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8672S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8690 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

7.6 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

1680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8813NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18.5A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

4145пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8817NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8840NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

18.6A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

144нКл

Входная емкость:

7535пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8842NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

14.9A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

73нКл

Входная емкость:

3845пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86106LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

108 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86113LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.8нКл

Входная емкость:

315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86244 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

128 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

395пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86246 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

236 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

215пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQN1N60CTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 300мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

11.5 Ом

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

6.2нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD020PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 2.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD224PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 630мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

630мА

Сопротивление открытого канала:

1.1 Ом

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9010PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 1.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

240пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL014NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 059 шт

Цена от:

от 29,55₽

IRFL024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт, 0.075 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18.3нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 872 шт

Цена от:

от 25,19₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"