Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

Акция

IRFL4105PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.7А 2.1Вт, 0.045 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 271 шт

Цена от:

от 34,45₽

Акция

IRFL4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 864 шт

Цена от:

от 31,92₽

IRFL9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт, 1.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 664 шт

Цена от:

от 18,16₽

Акция

IRFP044NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 53A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

53A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

1500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFP048NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А, 130Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

64A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

89нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP048PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP054PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

160нКл

Входная емкость:

4500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP140PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP150MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP150PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 41A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

41A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

2800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP244PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 15A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP3415PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 43A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

43A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP350LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97А 230Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

97A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

4820пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP448PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP450PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт, 0.4 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP460BPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

278Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

3094пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPC50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

580 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

2100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPC50LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

2300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"