Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

IRFPE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPF30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

3.7 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPF40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

4.7A

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPG40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 4.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

1000В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

3.5 Ом

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7А 25Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR014TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR020TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR1010ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

2840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

60 шт

Цена от:

от 315,83₽

Акция

IRFR1018EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

8.4 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

2290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

416 шт

Цена от:

от 76,62₽

IRFR110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 905 шт

Цена от:

от 35,59₽

Акция

IRFR1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44А 107Вт, 0.027 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

107Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 614 шт

Цена от:

от 35,86₽

IRFR1205TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

107Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 614 шт

Цена от:

от 35,86₽

IRFR120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR120ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7А 35Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

8.7A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

600 шт

Цена от:

от 94,73₽

IRFR1N60ATRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

7 Ом

Мощность макс.:

36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

229пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

146 шт

Цена от:

от 17,44₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"