Одиночные MOSFET транзисторы

₁₀₁

Напряжение сток-исток макс.: 80В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (101)

PMPB95ENEAX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 2.8A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

6-DFN2020MD (2x2)

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

2.8A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

105 мОм @ 2.8А, 10В

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.7В @ 250 µA

Заряд затвора:

14.9нКл @ 10В

Входная емкость:

504пФ @ 40В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB360ENEAZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 1.1A автомобильного применения 3-Pin DFN-D EP лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

3-DFN (1.1x1)

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.7В

Заряд затвора:

4.5нКл

Входная емкость:

130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN045-80YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12.5нКл

Входная емкость:

675пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN3R5-80PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм

Мощность макс.:

338Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

139нКл

Входная емкость:

9961пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN4R4-80PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 100A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

306Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

125нКл

Входная емкость:

8400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SI2337DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 939 шт

Цена от:

от 81,30₽

SI4896DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 6.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

16.5 мОм

Мощность макс.:

1.56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

41нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7852ADP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

17 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1825пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7852DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 7.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

16.5 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

41нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIDR680DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIJ482DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

6.2 мОм

Мощность макс.:

69.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.7В

Заряд затвора:

71нКл

Входная емкость:

2425пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR880ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

6.3 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

2289пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS468DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

19.5 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQD50P08-25L_GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 80 В, 50 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

50А

Мощность макс.:

136Вт

Тип транзистора:

P-канальный

Сообщить о поступлении

STH140N8F7-2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 90A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

HВІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

96нКл

Входная емкость:

6340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STH275N8F7-6AG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 180A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) H2PAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

180А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

-5% Акция

STL130N8F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 130А 0.0046 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFLAT 5x6

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

3.6 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

96нКл

Входная емкость:

6340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP140N8F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 90A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

4.3 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

96нКл

Входная емкость:

6340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP270N8F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 180A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

180A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

315Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

193нКл

Входная емкость:

13600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUD40N08-16-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"