Одиночные MOSFET транзисторы

226
Напряжение сток-исток макс.: 650В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (226)
IPB65R190CFDAATMA1 IPB65R190CFDAATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
17.5A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD60R1K4C6ATMA1 IPD60R1K4C6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
3.2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
49Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
9.4нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
385 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD60R3K3C6ATMA1 IPD60R3K3C6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
1.7А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
13A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD65R1K0CEAUMA1 IPD65R1K0CEAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD65R1K5CEAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
5.2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.7A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
420 мОм
Мощность макс.:
83.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD65R600C6BTMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3А TO252
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD65R650CEAUMA1 IPD65R650CEAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 10.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
10.1А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
660 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
615пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPL60R199CPAUMA1 IPL60R199CPAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 16.4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-VSON-4
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
16.4A
Сопротивление открытого канала:
199 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 21A 4-Pin VSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
21А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP60R190E6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP60R199CPXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
16А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP60R600P6XKSA1 IPP60R600P6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 46A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
4340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
33А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"