Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
229
Особенности:
Standard
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (229)
AUIRFS3206TRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 210A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
170нКл @ 10В
Входная емкость:
6540пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4010
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
215нКл @ 10В
Входная емкость:
9575пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS4610
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
73A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14 мОм @ 44А, 10В
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
140нКл @ 10В
Входная емкость:
3550пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFSL4010
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A TO262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
215нКл @ 10В
Входная емкость:
9575пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFSL4115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 99A TO262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
99A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.1 мОм @ 62А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
5270пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFU8401
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A IPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.25 мОм @ 60А, 10В
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 500 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
2200пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFU8403
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A IPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм @ 76А, 10В
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
99нКл @ 10В
Входная емкость:
3171пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFZ44N
Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 N-канальный 55В 49А [TO-220AB]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
49A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
17.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
94Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1470пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFZ44VZS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1690пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFZ44VZSTRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
1690пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFZ44Z
Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 N-канальный 55В 51А [TO-220AB]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм @ 31А, 10В
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
43нКл @ 10В
Входная емкость:
1420пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFZ48N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 69A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
69A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1900пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
BSS127SSN-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 50MA SC59
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SC-59
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
50мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
160 Ом @ 16mА, 10В
Мощность макс.:
610мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
1.08нКл @ 10В
Входная емкость:
21.8пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS87,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 400мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
400мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
3 Ом @ 400mА, 10В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В @ 1mA
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7606-75B,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
91нКл @ 10В
Входная емкость:
7446пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7608-55A,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
254Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
76нКл @ 0В
Входная емкость:
4352пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK761R7-40E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
324Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
118нКл @ 10В
Входная емкость:
9700пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7620-55A,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 54A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
54A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
118Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Входная емкость:
1592пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7626-100B,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 49A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
49A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
26 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
157Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
2891пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7628-100A,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
47A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
28 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
166Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Входная емкость:
3100пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара