Одиночные MOSFET транзисторы

₁₉₄

Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (194)

FDMC8882 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10.5A

Сопротивление открытого канала:

14.3 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

945пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

685пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1305пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8820 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 28A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

88нКл

Входная емкость:

5315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN352AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.3А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

1.9нКл

Входная емкость:

150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP5800 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

242Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

145нКл

Входная емкость:

9160пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP8870 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 156A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

132нКл

Входная емкость:

5200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP8874 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 114A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

5.3 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

3130пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

11.6 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1240пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 92A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

5.9 мОм

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

2525пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS6692A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

11.5 мОм

Мощность макс.:

1.47Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8870 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

112нКл

Входная емкость:

4615пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8896 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

2525пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86113LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.8нКл

Входная емкость:

315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB30N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1040пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB50N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

52.4A

Сопротивление открытого канала:

21 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1630пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FQP20N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21А 0.055 Ом, 53Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

53Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

630пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF13N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

24Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF20N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 15.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

15.7A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

630пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"