Одиночные MOSFET транзисторы

₃₅₉

Пороговое напряжение включения макс.: 3В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (359)

BS170_D27Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

500мА

Сопротивление открытого канала:

5 Ом

Мощность макс.:

830мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Входная емкость:

40пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 606 шт

Цена от:

от 4,93₽

BS170_D75Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

500мА

Сопротивление открытого канала:

5 Ом

Мощность макс.:

830мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Входная емкость:

40пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 606 шт

Цена от:

от 4,93₽

DMN4060SVT-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 45В 4.8A автомобильного применения 6-Pin TSOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TSOT-26

Напряжение сток-исток макс.:

45В

Ток стока макс.:

4.8A

Сопротивление открытого канала:

46 мОм

Мощность макс.:

1.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22.4нКл

Входная емкость:

1287пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 60Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

2620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 30A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1275пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8832 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 300Вт, 0.0019 Ом

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

34A

Сопротивление открытого канала:

1.9 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

265нКл

Входная емкость:

11400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3535 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

183 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

759пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5661N_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

763пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC610PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.9A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

1005пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC654P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

298пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC658P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC855N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.1A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

655пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD14AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

11.6 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

2810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD4141 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

10.8A

Сопротивление открытого канала:

12.3 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2775пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD4141_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

10.8A

Сопротивление открытого канала:

12.3 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2775пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD4243 Транзистор полевой MOSFET Р-канальный 40В 6.7А 44 мОм, 42Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 054 шт

Цена от:

от 12,99₽

FDD4685 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32А 27 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

8.4A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

2380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD4685_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

8.4A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

2380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"