Одиночные MOSFET транзисторы

97
Мощность макс.: 300Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (97)
STB150NF55T4 STB150NF55T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
4400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF03L-04T4 STB80NF03L-04T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 4.5В
Входная емкость:
5500пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF55-06T4 STB80NF55-06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
189нКл
Входная емкость:
4400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF55-08T4 STB80NF55-08T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
3850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF55L-06T4 STB80NF55L-06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
136нКл
Входная емкость:
4850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80PF55T4 STB80PF55T4 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
258нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB85NF55T4 STB85NF55T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STH240N75F3-6 STH240N75F3-6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
HВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
180A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
6800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STH270N4F3-6 STH270N4F3-6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 180A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
HВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
180A
Сопротивление открытого канала:
1.7 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
7400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP150NF55 STP150NF55 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
4400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP200NF03 STP200NF03 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
4950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP210N75F6 STP210N75F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
171нКл
Входная емкость:
11800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP80NF55L-06 STP80NF55L-06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
136нКл
Входная емкость:
4850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP85NF55 STP85NF55 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STV240N75F3 STV240N75F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
10-PowerSO
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
6800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STV300NH02L STV300NH02L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 280A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
10-PowerSO
Напряжение сток-исток макс.:
24В
Ток стока макс.:
200A
Сопротивление открытого канала:
1 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
109нКл
Входная емкость:
7055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STW52NK25Z STW52NK25Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 52A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"