Одиночные MOSFET транзисторы

₉₉

Мощность макс.: 3.1Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (99)

IRFBC30STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 3.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC40STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBF20LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

8 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBF20STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

8 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

41 шт

Цена от:

от 111,42₽

IRFH5053TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.3A PQFN56

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6) Single Die

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.3A(Ta),46A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

18 мОм @ 9.3А, 10В

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В @ 100 µA

Заряд затвора:

36нКл @ 10В

Входная емкость:

1510пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH7914TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH7932TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6) Single Die

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

4270пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

107нКл

Входная емкость:

2370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS31N20DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

107нКл

Входная емкость:

2370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 271 шт

Цена от:

от 88,73₽

IRL640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 271 шт

Цена от:

от 113,97₽

NTMFS5C646NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

5-DFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

33.7нКл

Входная емкость:

2164пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS5826NLTAG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

WDFN8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD5865NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS4C08NTWG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

WDFN8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

5.9 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

18.2нКл

Входная емкость:

1113пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIB912DK-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-75-6L Dual

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

216 мОм @ 1.8А, 4.5В

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUP53P06-20-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

19.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

115нКл

Входная емкость:

3500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SVD5865NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"