Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)

Тип монтажа

Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (387)

FDMS0312S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 19 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS2572 Транзистор полевой N-канальный 150В 4.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 2610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS2672 Транзистор полевой N-канальный 200В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS2734 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 122 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2365пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS3500 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 9.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 4765пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS3572 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 2490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS3662 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 49 А, 0.148 Ом, 104 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 14.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 4620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS3672 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 2680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS4435BZ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS5352 Транзистор полевой N-канальный 60В 13.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 6.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 131нКл Входная емкость: 6940пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS6673BZ Транзистор полевой P-канальный 30В 15.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15.2A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5915пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

FDMS6681Z Транзистор полевой P-канальный 30В 21.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21.1A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 241нКл Входная емкость: 10380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7556S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 133нКл Входная емкость: 8965пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7558S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 32 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 1.25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 119нКл Входная емкость: 7770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7560S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 1.45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 5945пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7570S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 28 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 4515пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7580 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7650 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 0.99 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 209нКл Входная емкость: 14965пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7656AS Транзистор полевой N-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-PQFN (5x6), Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 133нКл Входная емкость: 8705пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7658AS Транзистор полевой N-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 109нКл Входная емкость: 7350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"