Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

Акция

IRFS3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 230Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

4520пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

100 шт

Цена от:

от 172,06₽

IRFS3307ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

5.8 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3307ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

5.8 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

3070пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

600 шт

Цена от:

от 143,50₽

Акция

IRFS3806PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

43A

Сопротивление открытого канала:

15.8 мОм

Мощность макс.:

71Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 018 шт

Цена от:

от 97,08₽

Акция

IRFS4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

250нКл

Входная емкость:

7670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

250нКл

Входная емкость:

7670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4410TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 88A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

88A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

180нКл

Входная емкость:

5150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS450B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3PF

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

9.6A

Сопротивление открытого канала:

390 мОм

Мощность макс.:

96Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

113нКл

Входная емкость:

3800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFS4510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

61A

Сопротивление открытого канала:

13.9 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

87нКл

Входная емкость:

3180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4610PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

73A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

3550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

951 шт

Цена от:

от 174,86₽

IRFS9N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS9N60ATRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFSL3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

300нКл

Входная емкость:

8970пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFSL3107PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

240нКл

Входная емкость:

9370пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFSL4010PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

180A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

215нКл

Входная емкость:

9575пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"