Одиночные MOSFET транзисторы

1301
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1301)
PSMN020-100YS,115 PSMN020-100YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
20.5 мОм
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
2210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN027-100PS,127 PSMN027-100PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
37A
Сопротивление открытого канала:
26.8 мОм
Мощность макс.:
103Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1624пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN028-100YS,115 PSMN028-100YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
27.5 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1634пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN030-150B,118 PSMN030-150B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 55.5A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
55.5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
24.7 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
686пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
34.5 мОм
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23.8нКл
Входная емкость:
1201пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12.5нКл
Входная емкость:
675пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN069-100YS,115 PSMN069-100YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
72.4 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
645пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK33
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
71 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.4нКл
Входная емкость:
773пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN102-200Y,115 PSMN102-200Y,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21.5A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
21.5A
Сопротивление открытого канала:
102 мОм
Мощность макс.:
113Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30.7нКл
Входная емкость:
1568пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
306Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
137нКл
Входная емкость:
9997пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN2R0-60ES,127 PSMN2R0-60ES,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK лента
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.2 мОм
Мощность макс.:
338Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
137нКл
Входная емкость:
9997пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R5-80PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
338Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
139нКл
Входная емкость:
9961пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R4-80PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.1 мОм
Мощность макс.:
306Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
125нКл
Входная емкость:
8400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R5-40PS,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм
Мощность макс.:
148Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42.3нКл
Входная емкость:
2683пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
3501пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN5R6-100BS,118 PSMN5R6-100BS,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
5.6 мОм
Мощность макс.:
306Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
141нКл
Входная емкость:
8061пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN7R8-120PSQ PSMN7R8-120PSQ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В 70A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-262-3
Напряжение сток-исток макс.:
120В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
349Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
167нКл
Входная емкость:
9473пФ
Тип монтажа:
Through Hole
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
72Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"