Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

SIHG22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1920пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHG24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

145 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

122нКл

Входная емкость:

2740пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHG47N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

47A

Сопротивление открытого канала:

64 мОм

Мощность макс.:

357Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

220нКл

Входная емкость:

9620пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHG73N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 73A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

73A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

520Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

362нКл

Входная емкость:

7700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP12N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

147Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

937пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP15N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1920пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

145 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

122нКл

Входная емкость:

2740пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP7N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

78Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPD30P06PG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

P-TO252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

1535пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB100NF04T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

5100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB10N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

13.5нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB120N4F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

3850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB120NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 110A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

110A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

312Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

233нКл

Входная емкость:

5200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 90Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB140NF55T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

142нКл

Входная емкость:

5300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB150NF55T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 120A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

190нКл

Входная емкость:

4400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB155N3H6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

3650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB160N75F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 330Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

85нКл

Входная емкость:

6750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"