Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

STB18N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

21.5нКл

Входная емкость:

791пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB18NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29.5нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB18NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

285 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB19NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15А 0.15 Ом 90Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB22NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB270N4F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

7400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB28N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB30NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

55нКл

Входная емкость:

1180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB32NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

62.5нКл

Входная емкость:

1973пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB33N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 26A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45.5нКл

Входная емкость:

1781пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB34NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

210Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

2722пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB35NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

55нКл

Входная емкость:

1550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB40N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

34A

Сопротивление открытого канала:

88 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

57нКл

Входная емкость:

2500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB45NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

38A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB60NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

104нКл

Входная емкость:

4270пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB6N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8нКл

Входная емкость:

232пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB75NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 75А 190Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

3260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

182нКл

Входная емкость:

5500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"