Одиночные MOSFET транзисторы

185
Напряжение сток-исток макс.: 150В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (185)
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
375 мОм
Мощность макс.:
1.14Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
11 306 шт
Цена от:
от 40,56
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 8.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
721 шт
Цена от:
от 37,26
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 091 шт
Цена от:
от 91,56
AOB2500L AOB2500L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 11.5A TO263
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
11.5A(Ta),152A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
136нКл @ 10В
Входная емкость:
6460пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
AON7254 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 17A 8DFN
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN-EP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5.5A(Ta),17A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
54 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
4.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В @ 250 µA
Заряд затвора:
20нКл @ 10В
Входная емкость:
675пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF6215 AUIRF6215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
AUIRFR4615 AUIRFR4615 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
42 мОм @ 21А, 10В
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
26нКл @ 10В
Входная емкость:
1750пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
287 шт
Цена от:
от 178,14
AUIRFR6215 AUIRFR6215 Транзистор полевой MOSFET Auto Q101 P-канальный -150В -13А [D-PAK]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
295 мОм @ 6.6А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
66нКл @ 10В
Входная емкость:
860пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFSL4115 AUIRFSL4115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 99A TO262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
99A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.1 мОм @ 62А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
5270пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
FDB082N15A FDB082N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 117A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
117A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
231Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
6040пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB2552 FDB2552 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 37A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDBL0630N150 FDBL0630N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 169A H-PSOF8
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PSOF
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
169A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм @ 80А, 10В
Мощность макс.:
500Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
90нКл @ 10В
Входная емкость:
5805пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86240 FDMC86240 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
51 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86260 FDMC86260 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86200DC FDMS86200DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 9.3A POWER 56
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
9.3A(Ta),28A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
17 мОм @ 9.3А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
42нКл @ 10В
Входная емкость:
2955пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP075N15A_F102 FDP075N15A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
333Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
7350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP083N15A_F102 FDP083N15A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
83A
Сопротивление открытого канала:
8.3 мОм
Мощность макс.:
231Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
6040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP2572 FDP2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP42AN15A0 FDP42AN15A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
2150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF390N15A FDPF390N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 15A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
15А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.45496 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"