Одиночные MOSFET транзисторы

125
Напряжение сток-исток макс.: 75В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (125)
IRFS3307TRLPBF IRFS3307TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
180нКл @ 10В
Входная емкость:
5150пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS3307ZPBF IRFS3307ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
5.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
5.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFS3607PBF IRFS3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
600 шт
Цена от:
от 143,50
IRFS7730PBF IRFS7730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DBІPAK (TO-263AB)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
407нКл
Входная емкость:
13660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DBІPAK (TO-263AB)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
407нКл
Входная емкость:
13660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS7787TRLPBF IRFS7787TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 76A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
76A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFSL3107PBF IRFSL3107PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU3607PBF IRFU3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU7740PBF IRFU7740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 87A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
87A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.2 мОм @ 52А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В @ 100 µA
Заряд затвора:
126нКл @ 10В
Входная емкость:
4430пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU7746PBF IRFU7746PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56A I-PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
11.2 мОм @ 35А, 10В
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В @ 100 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
3107пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
MMIX1F520N075T2 MMIX1F520N075T2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 500A 21-Pin
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
24-SMPD
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
500A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
830Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
545нКл
Входная емкость:
41000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIE818DF-T1-E3 SIE818DF-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PolarPAKВ®10-(L)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SMP3003-DL-1E SMP3003-DL-1E Транзистор полевой MOSFET P-канальный 75В 100A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263 (DВІPak)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
280нКл
Входная емкость:
13400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB160N75F3 STB160N75F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 330Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
6750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD45NF75T4 STD45NF75T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
1760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STH240N75F3-6 STH240N75F3-6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
HВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
180A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
6800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"