Одиночные MOSFET транзисторы

709
Напряжение сток-исток макс.: 60В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (709)
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В @ 100 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
4360пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 023 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,24
IRFR9014TRPBF IRFR9014TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
773 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 28,74
IRFR9024TRPBF IRFR9024TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 077 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 757 шт
Цена от:
от 18,94
Акция
IRFS3006TRLPBF IRFS3006TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм @ 170А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
300нКл @ 10В
Входная емкость:
8970пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
78 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 327,23
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
6540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
835 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 93,29
-6% Акция
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
110 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 119,43
Акция
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
43A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
15.8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
71Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 50 µA
Заряд затвора:
30нКл @ 10В
Входная емкость:
1150пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
564 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 89,05
IRFU9024PBF IRFU9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
I-Pak (TO-251AA)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
385 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 366 шт
Цена от:
от 65,39
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
361 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 91,50
-6% Акция
IRFZ44EPBF IRFZ44EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт, 0.023 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
348 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 58,07
IRFZ44ESTRLPBF IRFZ44ESTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 007 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 78,25
IRFZ44PBF IRFZ44PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 150Вт, 0.028 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
552 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 81,84
-6% Акция
IRFZ44RPBF IRFZ44RPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
153 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 65,19
IRFZ44VPBF IRFZ44VPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 115Вт, 0.0165 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
16.5 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1812пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
376 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,80
-6% Акция
IRL60B216 IRL60B216 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 305A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
305А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
45 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 149,59
Акция
IRLB3036PBF IRLB3036PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 190А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
11210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
57 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 272,42
-7%
IRLML0060TR IRLML0060TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.116 Ом
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7А
Сопротивление открытого канала:
0.116Ом
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
110 шт

Внешние склады:
3 678 шт
Аналоги:
14 318 шт
Цена от:
от 2,10
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 1.25Вт, 0.092 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
92 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 718 шт

Внешние склады:
10 600 шт
Аналоги:
3 788 шт
Цена от:
от 6,74
-7% Акция
IRLML2060 IRLML2060 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.25Вт
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.2А
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
5 752 шт

Внешние склады:
16 972 шт
Аналоги:
35 504 шт
Цена от:
от 3,95
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.25Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.67нКл
Входная емкость:
64пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
10 654 шт

Внешние склады:
24 850 шт
Аналоги:
22 724 шт
Цена от:
от 5,88
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"