Одиночные MOSFET транзисторы

226
Напряжение сток-исток макс.: 650В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (226)
IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
18A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPP65R150CFDXKSA1 IPP65R150CFDXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22.4A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
2.4A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Through Hole
IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.2A TO220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.2A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
190 мОм @ 7.3А, 10В
Мощность макс.:
151Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 730 µA
Заряд затвора:
73нКл @ 10В
Входная емкость:
1620пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
IPP65R190CFDXKSA1 IPP65R190CFDXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
17.5A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
151Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPP65R225C7XKSA1 IPP65R225C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
225 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
996пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPP65R660CFD IPP65R660CFD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
660 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
615пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPS65R400CEAKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15.1A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
15.1А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPT65R033G7XTMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
69А
Тип транзистора:
N-канальный
IPT65R105G7XTMA1 IPT65R105G7XTMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A 9-Pin(8+Tab) HSOF
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IPW60R075CPFKSA1 IPW60R075CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 39A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
39A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
313Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
116нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW60R125CPFKSA1 IPW60R125CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
25А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPW60R165CPFKSA1 IPW60R165CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
21А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 46A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
4340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R048CFDAFKSA1 IPW65R048CFDAFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 63.3A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
63.3А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
33A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
53.5А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R080CFDAFKSA1 IPW65R080CFDAFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 43.3A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
43.3А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R080CFDFKSA1 IPW65R080CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
3.3A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A TO247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
95 мОм @ 11.8А, 10В
Мощность макс.:
128Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 590 µA
Заряд затвора:
45нКл @ 10В
Входная емкость:
2140пФ @ 400В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"