Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
229
Особенности:
Standard
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (229)
BUK7635-55A,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 35A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
35 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Входная емкость:
872пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK763R8-80E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
169нКл @ 10В
Входная емкость:
12030пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7E4R6-60E,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A I2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
234Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
82нКл @ 10В
Входная емкость:
6230пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
BUK7K134-100EX
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Standard
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7Y3R5-40E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Standard
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7Y59-60EX
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
59 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
7.8нКл @ 10В
Входная емкость:
494пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9K13-60EX
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 56LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56D
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Standard
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y59-60E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16.7A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
52 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
6.1нКл @ 5В
Входная емкость:
715пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y72-80E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
15A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
72 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
7.9нКл @ 5В
Входная емкость:
898пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17308Q3T
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В VSON 8
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A(Ta),47A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
10.3 мОм @ 10А, 8В
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В @ 250 µA
Заряд затвора:
5.1нКл @ 4.5В
Входная емкость:
700пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD5N60TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.6A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
950 мОм @ 2.3А, 10В
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16нКл @ 10В
Входная емкость:
600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FCMT299N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A POWER88
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power88
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
299 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
51нКл @ 10В
Входная емкость:
1948пФ @ 380В
Тип монтажа:
Surface Mount
FCP104N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
82нКл @ 10В
Входная емкость:
4165пФ @ 380В
Тип монтажа:
Through Hole
FCP104N60F
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
145нКл @ 10В
Входная емкость:
6130пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDA032N08
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-3P
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
220нКл @ 10В
Входная емкость:
15160пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDB075N15A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
130A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
333Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
100нКл @ 10В
Входная емкость:
7350пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDBL0630N150
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 169A H-PSOF8
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PSOF
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
169A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм @ 80А, 10В
Мощность макс.:
500Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
90нКл @ 10В
Входная емкость:
5805пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
900 мОм @ 3А, 10В
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16.6нКл @ 10В
Входная емкость:
9400пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86200DC
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 9.3A POWER 56
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
9.3A(Ta),28A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
17 мОм @ 9.3А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
42нКл @ 10В
Входная емкость:
2955пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86550
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8MLP
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
32A(Ta),155A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.65 мОм @ 32А, 10В
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
154нКл @ 10В
Входная емкость:
11530пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара