Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

STP80NF55-06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

189нКл

Входная емкость:

4400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP80NF55-06FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 60A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

189нКл

Входная емкость:

4400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STP85NF55 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

3700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP8NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

790 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

364пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP95N4F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.2 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP9NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

745 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17.4нКл

Входная емкость:

452пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STS3P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

3А

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

P-канальный

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STU10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

550 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STU13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

IPAK (TO-251)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

580пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STU7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

950 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.8нКл

Входная емкость:

271пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STU7NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 45Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

900 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

363пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STU9N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

IPAK (TO-251)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

780 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

320пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STV240N75F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

10-PowerSO

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

240A

Сопротивление открытого канала:

2.6 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

6800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STW18NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

285 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW19NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW23NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1330пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW28NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

158 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1735пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW32NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

62.5нКл

Входная емкость:

1973пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW33N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 26A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45.5нКл

Входная емкость:

1781пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW40NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 40A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

75нКл

Входная емкость:

2500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"