Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

STW75NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 75А 190Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

3260пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW75NF30AG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 60A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

300В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

320Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

164нКл

Входная емкость:

5930пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STY100NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 98A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

MAX247

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

98A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

625Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

330нКл

Входная емкость:

9600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUD19N20-90-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD40N08-16-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM110P04-05-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 110A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

110A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

280нКл

Входная емкость:

11300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM60N10-17-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

16.5 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM65N20-30-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 65А

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

5100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM85N15-19-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

85A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUP40N25-60-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

5000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP57N20-33-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 57A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

5100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

ZXMN10A07FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

700мА

Сопротивление открытого канала:

700 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

2.9нКл

Входная емкость:

138пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A07ZTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-89-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

700 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

2.9нКл

Входная емкость:

138пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A08E6TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-26

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7.7нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A08E6TC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-26

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7.7нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A09KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

85 мОм

Мощность макс.:

2.15Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1313пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A11KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

350 мОм

Мощность макс.:

2.11Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

5.4нКл

Входная емкость:

274пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A25GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.9A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

859пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP10A17GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.7A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

350 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

10.7нКл

Входная емкость:

424пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP10A18GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26.9нКл

Входная емкость:

1055пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"