Одиночные MOSFET транзисторы

229
Особенности: Standard
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (229)
Акция
FDP18N20F FDP18N20F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
145 мОм @ 9А, 10В
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
26нКл @ 10В
Входная емкость:
1180пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP24N40 FDP24N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 24A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
175 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 10В
Входная емкость:
3020пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP2710 FDP2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
50A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
42.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
101нКл @ 10В
Входная емкость:
7280пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP3632 FDP3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A(Ta),80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9 мОм @ 80А, 10В
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
6000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP80N06 FDP80N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
10 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.:
176Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
74нКл @ 10В
Входная емкость:
3190пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF8N50NZU FDPF8N50NZU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом @ 4А, 10В
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
18нКл @ 10В
Входная емкость:
735пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQD30N06TM FQD30N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22.7A DPAK-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
22.7A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
45 мОм @ 11.4А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
25нКл @ 10В
Входная емкость:
945пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP13N50 FQP13N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
430 мОм @ 6.25А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 10В
Входная емкость:
2300пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQP20N06 FQP20N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
20A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
60 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
15нКл @ 10В
Входная емкость:
590пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF15P12 FQPF15P12 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 120В 15A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
120В
Ток стока макс.:
15A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
200 мОм @ 7.5А, 10В
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
1100пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9N50C FQPF9N50C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
9A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
800 мОм @ 4.5А, 10В
Мощность макс.:
44Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
35нКл @ 10В
Входная емкость:
1030пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQU1N80TU FQU1N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A IPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
7.2нКл @ 10В
Входная емкость:
195пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.2A TO220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.2A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
190 мОм @ 7.3А, 10В
Мощность макс.:
151Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 730 µA
Заряд затвора:
73нКл @ 10В
Входная емкость:
1620пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R095C7XKSA1 IPW65R095C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A TO247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
95 мОм @ 11.8А, 10В
Мощность макс.:
128Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 590 µA
Заряд затвора:
45нКл @ 10В
Входная емкость:
2140пФ @ 400В
Тип монтажа:
Through Hole
IPZ65R045C7XKSA1 IPZ65R045C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 46A TO247-4
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
46A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
45 мОм @ 24.9А, 10В
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1.25mA
Заряд затвора:
93нКл @ 10В
Входная емкость:
4340пФ @ 400В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF1405STRRPBF IRF1405STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 131A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
131A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм @ 101А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
260нКл @ 10В
Входная емкость:
5480пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
379 шт
Цена от:
от 66,04
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 100A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
100A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.8 мОм @ 78А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
250нКл @ 10В
Входная емкость:
5600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF2804LPBF IRF2804LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A TO-220-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
240нКл @ 10В
Входная емкость:
6450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 62A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
62A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.6 мОм @ 48А, 10В
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3270пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF3205ZLPBF IRF3205ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"