Одиночные MOSFET транзисторы

₁₉₄

Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (194)

NDS356AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.1A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

4.4нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4804NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14.5A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

1.43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

4490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4809NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

9.6A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

1.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1456пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4858NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 11.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

11.2A

Сопротивление открытого канала:

6.2 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

19.2нКл

Входная емкость:

1563пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5867NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

675пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4823NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.9A

Сопротивление открытого канала:

10.6 мОм

Мощность макс.:

860мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

795пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4833NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

910мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

88нКл

Входная емкость:

5600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4834NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

4500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4852NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

2.1 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

71.3нКл

Входная емкость:

4970пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS4801NR2G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

2201пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS4821NTAG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

WDFN8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

660мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

1755пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS4824NTAG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

WDFN8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

660мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

2363пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVR5198NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

155 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

5.1нКл

Входная емкость:

182пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5826NLTAG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

WDFN8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB120EPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.4A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

3-DFN (1.1x1)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

400мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

309пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RK7002AT116 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА

Производитель:

ROHM

Корпус:

SST3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

200мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

33пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RSC002P03T316 Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -0.25A SOT-23

Производитель:

ROHM

Корпус:

SST3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

250мА

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

200мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Входная емкость:

30пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1022R-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 330мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SC-75A

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

330мА

Сопротивление открытого канала:

1.25 Ом

Мощность макс.:

250мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

0.6нКл

Входная емкость:

30пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2338DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

424пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2369DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-236

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"