Одиночные MOSFET транзисторы

359
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (359)
FDMC7672S FDMC7672S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14.8A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
2520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7678 FDMC7678 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17.5A
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7680 FDMC7680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14.8A
Сопротивление открытого канала:
7.2 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
2855пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7692 FDMC7692 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.3A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7692S FDMC7692S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12.5A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
1385пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7696 FDMC7696 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
11.5 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8015L FDMC8015L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
945пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8321L FDMC8321L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 44В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8327L FDMC8327L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
9.7 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8462 FDMC8462 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
5.8 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8554 FDMC8554 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16.5A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86102L FDMC86102L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86520L FDMC86520L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3), Power33
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
4550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8854 FDMC8854 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
57нКл
Входная емкость:
3405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8878 FDMC8878 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.6A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS0312S FDMS0312S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS3500 FDMS3500 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 9.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
14.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
91нКл
Входная емкость:
4765пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS5352 FDMS5352 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 13.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
13.6A
Сопротивление открытого канала:
6.7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
131нКл
Входная емкость:
6940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS6673BZ FDMS6673BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 15.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15.2A
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5915пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"