Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
1499
Особенности:
Logic Level Gate
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1499)
STP60NF06L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP60NF10
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
104нКл
Входная емкость:
4270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP75N3LLH6
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 75A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
23.8нКл
Входная емкость:
2030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP80NF55L-06
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
136нКл
Входная емкость:
4850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STQ1HNK60R-AP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 400мА
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
156пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STS11NF30L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS5NF60L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STS7NF60L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.5A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
19.5 мОм @ 3.5А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
34нКл @ 4.5В
Входная емкость:
1700пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STS7PF30L
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STU150N3LLH6
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
4040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU85N3LH5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
5.4 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STW25NM60ND
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW75NF30AG
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 60A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
320Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
164нКл
Входная емкость:
5930пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUD08P06-155L-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
155 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19P06-60-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD19P06-60-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252, (D-Pak)
Напряжение сток-исток макс.:
100V
Ток стока макс.:
40A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
25 mOhm @ 40A, 10V
Мощность макс.:
3W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3V @ 250 µA
Заряд затвора:
60nC @ 10V
Входная емкость:
2400pF @ 25V
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50N06-09L-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
9.3 мОм
Мощность макс.:
136Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P04-09L-E3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
4800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD50P06-15-GE3
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
165нКл
Входная емкость:
4950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара