Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
1499
Особенности:
Logic Level Gate
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1499)
STB70NF03LT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
70A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм @ 35А, 10В
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
30нКл @ 5В
Входная емкость:
1440пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STB70NF3LLT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF03L-04T4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 4.5В
Входная емкость:
5500пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF55L-06T4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
136нКл
Входная емкость:
4850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD12NF06LT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6%
Акция
STD150N3LLH6
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 2.8 мОм
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD16NF06LT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD25NF10LT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25А 100Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD26P3LLH6
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD30NF03LT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD30PF03LT4
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 24А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STD5N20LT4
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
242пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD60N3LH5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 48A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD70NS04ZL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 33В 70A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
33В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD95N4LF3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STF23NM60ND
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 19А 0.15 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
19.5A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STH240N75F3-6
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
HВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
180A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
6800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STL150N3LLH5
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFlat[тм] (6x5)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.75 мОм
Мощность макс.:
4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
5800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STL40N75LF3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6%
Акция
STL6N3LLH6
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 2x2
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
3.6нКл
Входная емкость:
283пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40473 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара