Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)

Тип монтажа

Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1582)

TN2524N8-G Полевой транзистор N-канальный 240В 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 360мА(Tj) Сопротивление открытого канала: 6 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Входная емкость: 125пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

TP0610T-G Транзистор полевой P-канальный 60В 0.12A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120мА(Tj) Сопротивление открытого канала: 10 Ом @ 200mА, 10В Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 1mA Входная емкость: 60пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

TP2510N8-G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: TO-243AA (SOT89) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 480мА(Tj) Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом @ 750mА, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 1mA Входная емкость: 125пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

TPS1100D Транзистор полевой P-канальный 15В 1.6A Производитель: Texas Instruments Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 15В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 791мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5.45нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN0124A Полевой транзистор, N-канальный, 240 В, 0.16 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 160мА Сопротивление открытого канала: 16 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Входная емкость: 85пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

ZVN2110A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 320мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

ZVN2110GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 500мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN2120GTA Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 320 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Входная емкость: 85пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN3306FTA Транзистор полевой N-канальный 60В 150мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 330мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 35пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN4206GVTA Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN4424ASTZ Транзистор полевой N-канальный 240В 0.26A Aвтомобильного применения 3-Pin E-Line Box Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 260мА Сопротивление открытого канала: 5.5 Ом Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

ZVN4424GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 500MA SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 500мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 5.5 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 1mA Входная емкость: 200пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN4525E6TA MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 230мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 1mA Заряд затвора: 3.65нКл @ 10В Входная емкость: 72пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN4525GTA Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 310 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 3.65нКл Входная емкость: 72пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVP2106A Транзистор полевой P-канальный 60В 0.28A Aвтомобильного применения 3-Pin E-Line Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 280мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

ZVP2120GTA Транзистор полевой P-канальный 200В 0.2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 25 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVP4424GTA Транзистор полевой P-канальный 240В 0.48A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 480мА Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVP4525GTA Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 265 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 265мА Сопротивление открытого канала: 14 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 3.45нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXM61N02FTA Транзистор полевой N-канальный 20В 1.7A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 3.4нКл Входная емкость: 160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXM61N02FTC Полевой транзистор N-канальный 20В 1.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 3.4нКл Входная емкость: 160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"