Одиночные MOSFET транзисторы

279
Напряжение сток-исток макс.: 55В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (279)
BSH111BKR BSH111BKR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 0.21A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
0.21A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
BTS244ZE3043AKSA2 BTS244ZE3043AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-5
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Temperature Protection
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK6217-55C,118 BUK6217-55C,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
33.8нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7215-55A,118 BUK7215-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 55A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2107пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7219-55A,118 BUK7219-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 55A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
114Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
2108пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7277-55A,118 BUK7277-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
422пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7608-55A,118 BUK7608-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
254Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
76нКл @ 0В
Входная емкость:
4352пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7618-55,118 BUK7618-55,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 57A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7620-55A,118 BUK7620-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 54A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
54A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
118Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Входная емкость:
1592пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7635-55A,118 BUK7635-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 35A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
35 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Входная емкость:
872пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK764R0-55B,118 BUK764R0-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 193A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
6776пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9212-55B,118 BUK9212-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
3519пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK92150-55A,118 BUK92150-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 11A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
338пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9222-55A,118 BUK9222-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 48A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
48A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
103Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Входная емкость:
2210пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9237-55A,118 BUK9237-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 32A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
77Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.6нКл
Входная емкость:
1236пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9277-55A,118 BUK9277-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
643пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
203Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
45нКл @ 5В
Входная емкость:
5280пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9624-55A,118 BUK9624-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 46A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
46A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
21.7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
105Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Входная емкость:
1815пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R2-55B,118 BUK964R2-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
95нКл @ 5В
Входная емкость:
10220пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK98150-55A/CUF BUK98150-55A/CUF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5.5A SOT223
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
5.5A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"