Одиночные MOSFET транзисторы

₃₃₀

Напряжение сток-исток макс.: 40В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (330)

BSC022N04LS6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 27A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

27А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC022N04LSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TDSON-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

69Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 145 шт

Цена от:

от 9,23₽

BSC027N04LSGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 24A 8-Pin TDSON EP

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TDSON-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

24A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC050N04LSGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

18А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC054N04NSGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 17A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

17A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC093N04LSGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 13A серия OPTIMOS3 TDSON8

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

13A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSZ097N04LSGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12A TSDSON8

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

12A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK761R7-40E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.6 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

324Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

118нКл @ 10В

Входная емкость:

9700пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7Y3R5-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В LFPAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK56

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Standard

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9606-40B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

5 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

203Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В @ 1mA

Заряд затвора:

44нКл @ 5В

Входная емкость:

4901пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK961R6-40E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.4 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

357Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В @ 1mA

Заряд затвора:

120нКл @ 5В

Входная емкость:

16400пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK964R4-40B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 174A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

254Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

64нКл

Входная емкость:

7124пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9M24-40EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A автомобильного применения 8-Pin LFPAK EP лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

30А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y21-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 33A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

17 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

824пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y29-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 25A LFPAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK56

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

25A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

25 мОм @ 5А, 10В

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В @ 1mA

Заряд затвора:

5нКл @ 5В

Входная емкость:

664пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y3R0-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A LFPAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK56

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

100A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

194Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В @ 1mA

Заряд затвора:

35.5нКл @ 5В

Входная емкость:

5962пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y3R5-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

3.6 мОм

Мощность макс.:

167Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В

Заряд затвора:

30.2нКл

Входная емкость:

5137пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y4R4-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

147Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В

Заряд затвора:

26.8нКл

Входная емкость:

4077пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y7R6-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 79A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

79A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

6 мОм @ 20А, 10В

Мощность макс.:

95Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В @ 1mA

Заряд затвора:

16.4нКл @ 5В

Входная емкость:

2403пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18501Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-SON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

3840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"