Одиночные MOSFET транзисторы

245
Напряжение сток-исток макс.: 200В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (245)
FQP3P20 FQP3P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF10N20C FQPF10N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF19N20 FQPF19N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 11.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.8A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF19N20C FQPF19N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF630 FQPF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF7P20 FQPF7P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 5.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.2A
Сопротивление открытого канала:
690 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQT3P20TF FQT3P20TF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.67A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
670мА
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQU10N20CTU FQU10N20CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPB320N20N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лен
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
34А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD320N20N3GATMA1 IPD320N20N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
34A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IPI320N20N3GAKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 34A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
34А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 88A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
88А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 84A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
84A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
87нКл
Входная емкость:
6650пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
34А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IRF200P222 IRF200P222 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
182А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IRF200P223 IRF200P223 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IRF200S234 IRF200S234 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 90A 417Вт 16.9мОм D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
90А
Сопротивление открытого канала:
16.9мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF610SPBF IRF610SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF620SPBF IRF620SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.2A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
260пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"