Одиночные MOSFET транзисторы

₂₂₉

Особенности: Standard

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (229)

IRF3710LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

23 мОм @ 28А, 10В

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

130нКл @ 10В

Входная емкость:

3130пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3710STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

23 мОм @ 28А, 10В

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

130нКл @ 10В

Входная емкость:

3130пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

958 шт

Цена от:

от 49,61₽

IRF540NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

33A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

44 мОм @ 16А, 10В

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

71нКл @ 10В

Входная емкость:

1960пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF640NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

150 мОм @ 11А, 10В

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

67нКл @ 10В

Входная емкость:

1160пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF6641TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.6А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MZ

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

4.6A(Ta),26A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

59.9 мОм @ 5.5А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В @ 150 µA

Заряд затвора:

48нКл @ 10В

Входная емкость:

2290пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6644TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10.3A DIRECTFET

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MN

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10.3A(Ta),60A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

13 мОм @ 10.3А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.8В @ 150 µA

Заряд затвора:

47нКл @ 10В

Входная емкость:

2210пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6646TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 12A 7-Pin Direct-FET MN лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MN

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

12A(Ta),68A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм @ 12А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В @ 150 µA

Заряд затвора:

50нКл @ 10В

Входная емкость:

2060пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6662TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A DIRECTFET

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MZ

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

8.3A(Ta),47A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

22 мОм @ 8.2А, 10В

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В @ 100 µA

Заряд затвора:

31нКл @ 10В

Входная емкость:

1360пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7451TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3.6A 8-SOIC

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

3.6A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

90 мОм @ 2.2А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

41нКл @ 10В

Входная емкость:

990пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9383MTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 22A DIRECTFET

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] MX

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

22A(Ta),160A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.9 мОм @ 22А, 10В

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В @ 150 µA

Заряд затвора:

130нКл @ 10В

Входная емкость:

7305пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9540NLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A TO262-3

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

23A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

117 мОм @ 14А, 10В

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

110нКл @ 10В

Входная емкость:

1450пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3206GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6540пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

120нКл @ 10В

Входная емкость:

4520пФ @ 50В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7440GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм @ 100А, 10В

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В @ 100 µA

Заряд затвора:

135нКл @ 10В

Входная емкость:

4730пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFH5053TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.3A PQFN56

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (5x6) Single Die

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.3A(Ta),46A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

18 мОм @ 9.3А, 10В

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В @ 100 µA

Заряд затвора:

36нКл @ 10В

Входная емкость:

1510пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH7446TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 85A PQFN 5X6

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

8-PQFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

85A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм @ 50А, 10В

Мощность макс.:

78Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В @ 100 µA

Заряд затвора:

98нКл @ 10В

Входная емкость:

3174пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR1010ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм @ 42А, 10В

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 100 µA

Заряд затвора:

95нКл @ 10В

Входная емкость:

2840пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR18N15DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

18A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

125 мОм @ 11А, 10В

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

43нКл @ 10В

Входная емкость:

900пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR2307ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

42A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

16 мОм @ 32А, 10В

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 100 µA

Заряд затвора:

75нКл @ 10В

Входная емкость:

2190пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR2407TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

42A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

26 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

110нКл @ 10В

Входная емкость:

2400пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"