Одиночные MOSFET транзисторы

₁₉₄

Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (194)

SI3424CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12.5нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4122DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 27.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

27.2A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

4200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4126DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 39A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

39A

Сопротивление открытого канала:

2.75 мОм

Мощность макс.:

7.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

105нКл

Входная емкость:

4405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4128DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10.9A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

435пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4134DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

846пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4154DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 36A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

36A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

7.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

105нКл

Входная емкость:

4230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4164DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм

Мощность макс.:

6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

3545пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4386DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

1.47Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4431CDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1006пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4436DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4447ADY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 7.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

7.2A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

970пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4459ADY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 29A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

7.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

195нКл

Входная емкость:

6000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4485DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

590пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4825DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 14.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14.9A

Сопротивление открытого канала:

12.5 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

2550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5468DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

ChipFET8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

5.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

435пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7114ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7139DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

5.5 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

146нКл

Входная емкость:

4230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7149ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

5.2 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

135нКл

Входная емкость:

5125пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7625DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

126нКл

Входная емкость:

4427пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7658ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4590пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"