Одиночные MOSFET транзисторы

359
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (359)
FDMS7556S FDMS7556S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
133нКл
Входная емкость:
8965пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7558S FDMS7558S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
1.25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
119нКл
Входная емкость:
7770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7560S FDMS7560S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 30A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
1.45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
5945пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7570S FDMS7570S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
1.95 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
4515пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7580 FDMS7580 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7650 FDMS7650 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
0.99 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
209нКл
Входная емкость:
14965пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7656AS FDMS7656AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
1.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
133нКл
Входная емкость:
8705пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7658AS FDMS7658AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
1.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
109нКл
Входная емкость:
7350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7660 FDMS7660 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
5565пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7660AS FDMS7660AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
6120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7670 FDMS7670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
3.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
4105пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7670AS FDMS7670AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
4225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7672 FDMS7672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7672AS FDMS7672AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7676 FDMS7676 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7682 FDMS7682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1885пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7692 FDMS7692 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7692A FDMS7692A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7694 FDMS7694 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.2A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS8025S FDMS8025S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"