Одиночные MOSFET транзисторы

₄₆₈

Пороговое напряжение включения макс.: 5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1862)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (468)

FDB28N30TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 28A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

300В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

129 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDB44N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

69 мОм

Мощность макс.:

307Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

2870пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDB52N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

52A

Сопротивление открытого канала:

49 мОм

Мощность макс.:

357Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

2900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD3N40TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

3.4 Ом

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD3N50NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

8нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD5N60NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD6N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

1.1 Ом

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD6N50FTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1.15 Ом

Мощность макс.:

89Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

19.8нКл

Входная емкость:

960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD6N50TM-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

900 мОм

Мощность макс.:

89Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

16.6нКл

Входная емкость:

9400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD6N50TM-WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

900 мОм

Мощность макс.:

89Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

16.6нКл

Входная емкость:

9400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD7N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

690 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

6.7нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD7N60NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1.25 Ом

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

730пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDH45N50F_F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 45A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

45A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

625Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

137нКл

Входная емкость:

6630пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Акция

FDL100N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 100A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO264

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

2500Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

238нКл

Входная емкость:

12000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDMC2523P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-Power33 (3x3)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

42Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

270пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDP10N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

185Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1475пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP12N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

11.5A

Сопротивление открытого канала:

520 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1235пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP12N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

650 мОм

Мощность макс.:

240Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1676пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Акция

FDP18N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18А 235Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

265 мОм

Мощность макс.:

235Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP20N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

230 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

59.5нКл

Входная емкость:

3120пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"