Одиночные MOSFET транзисторы

1863
Тип монтажа: Through Hole
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1863)
STQ1NK80ZR-AP STQ1NK80ZR-AP MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-92-3
Напряжение сток-исток макс.:
800V
Ток стока макс.:
300mA (Tc)
Сопротивление открытого канала:
16 Ohm @ 500mA, 10V
Мощность макс.:
3W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5V @ 50 µA
Заряд затвора:
7.7nC @ 10V
Входная емкость:
160pF @ 25V
Тип монтажа:
Through Hole
STQ2HNK60ZR-AP STQ2HNK60ZR-AP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.5A 3-Pin TO-92 лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STQ3N45K3-AP STQ3N45K3-AP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 600мА
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
3.8 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU10NM60N STU10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU12N65M5 STU12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 0.430 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU13N60M2 STU13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
580пФ
Тип монтажа:
Through Hole
-6% Акция
STU150N3LLH6 STU150N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
4040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU2N62K3 STU2N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU2N80K5 STU2N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.5нКл
Входная емкость:
105пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU2N95K5 STU2N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
105пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU2NK100Z STU2NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.85A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.85A
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
499пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU3N62K3 STU3N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
385пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU3N80K5 STU3N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.5нКл
Входная емкость:
130пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU4N52K3 STU4N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
525В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
334пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU4N62K3 STU4N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 3.8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU4N80K5 STU4N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
IPAK (TO-251)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10.5нКл
Входная емкость:
175пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU5N62K3 STU5N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 4.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU5N95K3 STU5N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU6N95K5 STU6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU7N60M2 STU7N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.8нКл
Входная емкость:
271пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62102 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"