Одиночные MOSFET транзисторы

179
Напряжение сток-исток макс.: 150В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (179)
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4848DY-T1-GE3 SI4848DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 400 шт
Цена от:
от 28,13
SI7115DN-T1-E3 SI7115DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 8.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 8.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
295 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7315DN-T1-GE3 SI7315DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 8.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
315 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 26A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
64Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1735пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 26A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
64Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1735пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7439DP-T1-E3 SI7439DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
135нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7439DP-T1-GE3 SI7439DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
135нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7738DP-T1-E3 SI7738DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
38 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
2100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7818DN-T1-E3 SI7818DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
135 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 53.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
53.7A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
1286пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR872DP-T1-GE3 SIR872DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 53.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
53.7A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUD15N15-95-E3 SUD15N15-95-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM80090E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 128A D2PAK
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
128А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM85N15-19-E3 SUM85N15-19-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
WMB115N15HGD WMB115N15HGD Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 150В, ток стока 115А
Производитель:
Wayon
Корпус:
PDFN5*6
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
115А
Тип транзистора:
N-канальный
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"