Одиночные MOSFET транзисторы

279
Напряжение сток-исток макс.: 55В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (279)
BUK9832-55A/CUX BUK9832-55A/CUX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 12A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
12A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
BUK9880-55A/CUX BUK9880-55A/CUX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 7A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
7A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
BUK9E08-55B,127 BUK9E08-55B,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В I2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
203Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
45нКл @ 5В
Входная емкость:
5280пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 46A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
46A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
17.3 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
18нКл @ 5В
Входная емкость:
1992пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75321D3ST HUF75321D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75321P3 HUF75321P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75332P3 HUF75332P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 60A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
145Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75339P3 HUF75339P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75344P3 HUF75344P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
285Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
3200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75345G3 HUF75345G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
325Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
275нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75345P3 HUF75345P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
325Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
275нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75345S3ST HUF75345S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
325Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
275нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD15N06S2L64ATMA2 IPD15N06S2L64ATMA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 19A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD26N06S2L35ATMA2 IPD26N06S2L35ATMA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD30N06S223ATMA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD30N06S2L13ATMA4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A TO252-3
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IPG20N06S2L35ATMA1 IPG20N06S2L35ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP77N06S212AKSA2 IPP77N06S212AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
77A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
158Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPP80N06S208AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP80N06S209AKSA2 IPP80N06S209AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"