Одиночные MOSFET транзисторы

236
Напряжение сток-исток макс.: 650В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (236)
IPW65R110CFDFKSA1 IPW65R110CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 31.2A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
31.2A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
277.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
118нКл
Входная емкость:
3240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R125C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
18А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R150CFDAFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22.4A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22.4А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R150CFDFKSA1 IPW65R150CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22.4A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
2.4A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R190CFDFKSA1 IPW65R190CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
17.5A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
151Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R190E6FKSA1 IPW65R190E6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20,2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.2A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
151Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPW65R280E6FKSA1 IPW65R280E6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
13.8A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPZ65R045C7XKSA1 IPZ65R045C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 46A TO247-4
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
46A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
45 мОм @ 24.9А, 10В
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1.25mA
Заряд затвора:
93нКл @ 10В
Входная емкость:
4340пФ @ 400В
Тип монтажа:
Through Hole
IPZ65R065C7XKSA1 IPZ65R065C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
33А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IRFIB5N65APBF IRFIB5N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
930 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1417пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IXTR102N65X2 IXTR102N65X2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 54A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Производитель:
IXYS Corporation
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
54А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
JMH65R040ASFD JMH65R040ASFD Транзистор полевой MOSFET силовой 650В 71A 35мОм
Производитель:
Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
71А
Сопротивление открытого канала:
35мОм
JMH65R190AC-U JMH65R190AC-U Транзистор полевой MOSFET силовой 650В 20A 170мОм
Производитель:
Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20А
Сопротивление открытого канала:
170мОм
JMH65R190ACFP-U JMH65R190ACFP-U Транзистор полевой MOSFET силовой 650В 20A 170мОм
Производитель:
Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20А
Сопротивление открытого канала:
170мОм
JMH65R190AE-13 JMH65R190AE-13 Транзистор полевой MOSFET силовой 650В 20A 170мОм
Производитель:
Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус:
TO-263-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20А
Сопротивление открытого канала:
170мОм
SIHB12N65E-GE3 SIHB12N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1224пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB15N65E-GE3 SIHB15N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
15A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB22N65E-GE3 SIHB22N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2415пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
122нКл
Входная емкость:
2740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
78Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"