Одиночные MOSFET транзисторы

229
Особенности: Standard
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (229)
IRFR3303TRPBF IRFR3303TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 33A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
31 мОм @ 18А, 10В
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
29нКл @ 10В
Входная емкость:
750пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR3910TRLPBF IRFR3910TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
115 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
44нКл @ 10В
Входная емкость:
640пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 460 шт
Цена от:
от 26,65
IRFR4104TRLPBF IRFR4104TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2950пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR4104TRRPBF IRFR4104TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм @ 42А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2950пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR6215TRRPBF IRFR6215TRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
295 мОм @ 6.6А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
66нКл @ 10В
Входная емкость:
860пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS23N20DTRLP IRFS23N20DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
100 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
86нКл @ 10В
Входная емкость:
1960пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS3307TRLPBF IRFS3307TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
180нКл @ 10В
Входная емкость:
5150пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS33N15DTRLP IRFS33N15DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
56 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
90нКл @ 10В
Входная емкость:
2020пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS38N20DTRRP IRFS38N20DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
43A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
54 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
91нКл @ 10В
Входная емкость:
2900пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS4020TRLPBF IRFS4020TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
105 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
29нКл @ 10В
Входная емкость:
1200пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS4115TRL7PP IRFS4115TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105A D2PAK-7
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
105A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
11.8 мОм @ 63А, 10В
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
5320пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS4321TRL7PP IRFS4321TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 86A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
86A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14.7 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
350Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
4460пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS52N15DTRRP IRFS52N15DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
32 мОм @ 36А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2770пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS5615TRLPBF IRFS5615TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
42 мОм @ 21А, 10В
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
40нКл @ 10В
Входная емкость:
1750пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS7434TRLPBF IRFS7434TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 250 µA
Заряд затвора:
324нКл @ 10В
Входная емкость:
10820пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
240A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.4 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В @ 250 µA
Заряд затвора:
354нКл @ 10В
Входная емкость:
12960пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В @ 250 µA
Заряд затвора:
279нКл @ 10В
Входная емкость:
10034пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
173A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В @ 150 µA
Заряд затвора:
210нКл @ 10В
Входная емкость:
7020пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS7540TRLPBF IRFS7540TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
110A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.1 мОм @ 65А, 10В
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В @ 100 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
4555пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFSL3206PBF IRFSL3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
170нКл @ 10В
Входная емкость:
6540пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"