Одиночные MOSFET транзисторы

₁₉₄

Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (194)

SI7716ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

27.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

846пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR158DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

1.8 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

4980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR410DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR414DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

2.8 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

117нКл

Входная емкость:

4750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR416DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

3.8 мОм

Мощность макс.:

69Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

3350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR422DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

6.6 мОм

Мощность макс.:

34.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

1785пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR424DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

5.5 мОм

Мощность макс.:

41.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR440DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

1.55 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

6000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR470DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

2.3 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

155нКл

Входная емкость:

5660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR836DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

15.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS410DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQ3418AEEV-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке

Производитель:

Vishay

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.8A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQD50N05-11L-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

50В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

2106пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB155N3LH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 110Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

3800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB40NF10LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

64нКл

Входная емкость:

2300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB75NF75LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

-6% Акция

STD150N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80А 2.8 мОм

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

2.8 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

3700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD25NF10LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25А 100Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD26P3LLH6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

1450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD30NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"