Одиночные MOSFET транзисторы

₂₅₂

Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (252)

FDS2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1228пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPA60R190P6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20.2A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

34Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R600P6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.9A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

28Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

557пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD65R420CFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.7A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

8.7A

Сопротивление открытого канала:

420 мОм

Мощность макс.:

83.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

870пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD65R660CFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

660 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

615пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP65R190CFDXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

17.5A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

151Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

68нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP65R660CFD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

660 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

615пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R110CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 31.2A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

31.2A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

277.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

118нКл

Входная емкость:

3240пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R190CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17.5A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

17.5A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

151Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

68нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF730APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF730ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF820ALPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

I2PAK

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF830ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF830ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC30ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBC30ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR420APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 070 шт

Цена от:

от 20,45₽

IRFR430APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 110Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.7 Ом

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

15 243 шт

Цена от:

от 10,91₽

NDD04N60ZT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDF06N60ZG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.1A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

47нКл

Входная емкость:

1107пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"