Одиночные MOSFET транзисторы

₃₈₇

Мощность макс.: 2.5Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (387)

FDMS86101A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

4120пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1305пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86103L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

3710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86104 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

923пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86200 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

9.6A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

2715пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86201 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

120В

Ток стока макс.:

11.6A

Сопротивление открытого канала:

11.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

2735пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8622 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.8A

Сопротивление открытого канала:

56 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86250 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 6.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

2330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86252 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

4.6A

Сопротивление открытого канала:

51 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

905пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86263P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

53 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

3905пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86300 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 19A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

7082пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86500L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 25A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

25A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

165нКл

Входная емкость:

12530пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86520 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A 8-PQFN

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A(Ta),42A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

7.4 мОм @ 14А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

40нКл @ 10В

Входная емкость:

2850пФ @ 30В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86520L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 13.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

13.5A

Сопротивление открытого канала:

8.2 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

4615пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8670S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

73нКл

Входная емкость:

4000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8820 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 28A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

88нКл

Входная емкость:

5315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 8.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

8.9A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1990пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

2015пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3692 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A автомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

746пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS4141 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

10.8A

Сопротивление открытого канала:

13 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

2670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"