Одиночные MOSFET транзисторы

₁₈₆₃

Тип монтажа: Through Hole

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1863)

STY145N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 138A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

MAX247

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

138A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

625Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

414нКл

Входная емкость:

18500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STY50N105DK5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.05кВ 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 туба

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

MAX247

Напряжение сток-исток макс.:

1050В

Ток стока макс.:

46А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STY60NM50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 60A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

MAX247

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

560Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

266нКл

Входная емкость:

7500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STY60NM60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 60А 560Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

MAX247

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

560Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

266нКл

Входная емкость:

7300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP40N25-60-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

5000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP53P06-20-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

19.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

115нКл

Входная емкость:

3500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP57N20-33-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 57A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

5100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP70101EL-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 120А TO-220AB

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120А

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP85N10-10-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 85A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

85A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

160нКл

Входная емкость:

6550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP90N06-6M0P-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

4700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP90P06-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 90A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

9.3 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

240нКл

Входная емкость:

9200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

TK100A06N1,S4X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

263A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

TK100A10N1,S4X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

207A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

TK10A60W,S4VX(M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.7A,TO220SIS

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

TK10E60W,S1VX(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

9.7A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

TK14A65W,S5X(M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 13.7А TO-220SIS

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

13.7А

Мощность макс.:

65Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

TK16A60W5,S4VX(M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.8A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

TK16E60W,S1VX(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.8A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

TK16N60W,S1VF(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.8A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

TK20A60W,S5VX(M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62102 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"