Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6794)
NTS2101PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 8 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTS4001NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 270мА, 0.33Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 270мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 330мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.3нКл Входная емкость: 33пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTS4101PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 1.37A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.37A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 329мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTS4173PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10.1нКл Входная емкость: 430пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTS4409NT1G Транзистор полевой N-канальный 25В 700мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTTFS4821NTAG Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1755пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTTFS4824NTAG Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 2363пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTTFS4932NTAG Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8
NTTFS5116PLTAG Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 5.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1258пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTTFS5826NLTAG Транзистор полевой N-канальный 60В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTZS3151PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 860мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 860мА Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 170мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 458пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVATS5A114PLZT4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 60A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) ATPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor
NVBLS001N06C Производитель: ON Semiconductor
NVD2955T4G Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVD3055-150T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVD3055L170T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 275пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVD3055L170T4G-VF01 Полевой транзистор N-канальный 60В 9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±15В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 275пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVD5807NT4G MOSFET N-CH 40V 23A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
NVD5865NLT4G Полевой транзистор N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVD5890NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"