Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6794)
IXFR140N20P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 90A ISOPLUS 247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247-3
IXFX240N25X3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 240A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 Производитель: IXYS Corporation
IXFX27N80Q Транзистор полевой N-канальный 800В 27A Производитель: IXYS Corporation Корпус: PLUS247[тм]-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 27A(Tc) Сопротивление открытого канала: 320 мОм @ 500mА, 10В Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 4mA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 7600пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXFX64N60P Полевой транзистор N-канальный 600В 64A PLUS247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: PLUS247[тм]-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 64A(Tc) Сопротивление открытого канала: 96 мОм @ 500mА, 10В Мощность макс.: 1040Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 8mA Заряд затвора: 200нКл @ 10В Входная емкость: 12000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция IXKH30N60C5 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 30 А 310 Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247
IXKR25N80C Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 25 А Производитель: IXYS Corporation Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 25A(Tc) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 18А, 10В Тип транзистора: N-канал Особенности: Super Junction Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 2mA Заряд затвора: 355нКл @ 10В Тип монтажа: Through Hole
IXTA02N250HV Транзистор полевой MOSFET N-канальный 2.5кВ 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Производитель: IXYS Corporation
Акция IXTA06N120P Транзистор полевой N-канальный 1200В 0.6A Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 600мА(Tc) Сопротивление открытого канала: 32 Ом @ 300mА, 10В Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 50 µA Заряд затвора: 13.3нКл @ 10В Входная емкость: 270пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IXTA3N120 Транзистор полевой N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IXTA3N120TRL Транзистор полевой N-канальный 1200В 3А 200Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IXTA3N150HV. Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263
Акция IXTA50N25T Транзистор полевой N-канальный 250В 50А 400Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IXTA60N20T Транзистор полевой N-канальный 200В 60А 500Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 60A Тип транзистора: N-канал
IXTH10P60 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 600В 10A TO-247AD Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 5А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 160нКл @ 10В Входная емкость: 4700пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXTH48N65X2 Транзистор полевой N-канальный 650В 48А 660Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 660Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 77нКл Входная емкость: 4420пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IXTH75N10L2 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A TO-247 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247 (IXTH) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 21 мОм @ 500mА, 10В Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 215нКл @ 10В Входная емкость: 8100пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция IXTH88N30P Транзистор полевой N-канальный 300В 88А 600Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 88A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 600Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 6300пФ Тип монтажа: Through Hole
IXTK120N25P Транзистор полевой N-канальный 250В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 700Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 185нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole
IXTK22N100L Полевой транзистор, N-канальный, 1000В 22А 700Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Тип транзистора: N-канал
IXTK90N25L2 Транзистор полевой N-канальный 250В 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Производитель: Littelfuse Корпус: TO-264 (IXTK) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 960Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 640нКл Входная емкость: 23000пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"