Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (99)
IXTK120N25P Транзистор полевой N-канальный 250В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 700Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 185нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole
IXTK90N25L2 Транзистор полевой N-канальный 250В 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Производитель: Littelfuse Корпус: TO-264 (IXTK) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 960Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 640нКл Входная емкость: 23000пФ Тип монтажа: Through Hole
IXTQ50N25T Транзистор полевой N-канальный 50А 250В 60мОм [TO-3P] Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole
NDDP010N25AZT4H Полевой транзистор N-канальный 250В 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4434DY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 250В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4434DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 250В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7190DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 250В 18.4A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 18.4A Сопротивление открытого канала: 118 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2214пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7434DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount
STB18NF25 Транзистор полевой N-канальный 250В 17A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD16NF25 Транзистор полевой N-канальный 250В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 235 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD8NF25 Транзистор полевой N-канальный 250В 8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Тип транзистора: N-канал
Акция STF17NF25 Транзистор полевой N-канальный 250В 17А 0.14 Ом, 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole
STP50NF25 Транзистор полевой N-канальный 250В 45A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 68.2нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Through Hole
STW52NK25Z Транзистор полевой N-канальный 250В 52A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4850пФ Тип монтажа: Through Hole
SUM45N25-58-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 45 А, 375 Вт Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 45A Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал
SUP40N25-60-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 40 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole
ZVN4525E6TA MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 230мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 1mA Заряд затвора: 3.65нКл @ 10В Входная емкость: 72пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4525GTA Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 310 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 3.65нКл Входная емкость: 72пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVP4525GTA Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 265 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 265мА Сопротивление открытого канала: 14 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 3.45нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"