Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
FQPF4N90C
Транзистор полевой N-канальный 900В 4А 47Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 4.2 Ом
Мощность макс.: 47Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 960пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF5N90
Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом
Мощность макс.: 51Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1550пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF6N90C
Транзистор полевой N-канальный 900В 6А 56Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом
Мощность макс.: 56Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 1770пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF8N90C
Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6.3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 6.3A
Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 2080пФ
Тип монтажа: Through Hole
FQPF9N90CT
Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 68Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 2730пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPP90R1K0C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 900В 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба, CoolMOS
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 5.7A
Тип транзистора: N-канал
IPP90R340C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 900В 15А 208Вт, CoolMOS
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 340 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 94нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IPW90R500C3FKSA1
Полевой транзистор N-канальный 900В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 500 мОм
Мощность макс.: 156Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1700пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBF20LPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBF20PBF
Транзистор полевой N-канальный 900В 1.7A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 54Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBF20SPBF
Транзистор полевой N-канальный 900В 1.7A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBF20STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 900В 1.7A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBF30PBF
Транзистор полевой N-канальный 900В 3.6А 125Вт, 3.7 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIBF20GPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.2 А, 30 Вт, 8 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 1.2A
Сопротивление открытого канала: 8 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFIBF30GPBF
Транзистор полевой N-канальный 900В 1.9А 35Вт, 3.7 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 1.9A
Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPF30PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 3.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPF40PBF
Транзистор полевой N-канальный 900В 4.7A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 4.7A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 1600пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPF50PBF
Транзистор полевой N-канальный 900В 6.7А 190Вт, 1.6 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 6.7A
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 200нКл
Входная емкость: 2900пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.